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骁龙835用上三星10nm工艺 S8明年将首发?

2016-11-18

11月17日消息,Qualcomm高通今天宣布其最新旗舰芯片将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造。搭载这一处理器的终端产品将于明年上半年出货。

11月17日消息,Qualcomm高通今天宣布其最新旗舰芯片将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造。搭载这一处理器的终端产品将于明年上半年出货。

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高通方面表示,全新10纳米制程节点的采用,在提高骁龙835处理器性能的同时,将带来更低的功耗,同时还能增加诸多全新功能。

今年10月,三星宣布率先在业界实现了10纳米FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比,三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。

除了性能提升,骁龙835还支持最新的高通Quick Charge 4.0,它比此前的3.0标准又快了20%,只需15分钟,就能充满手机一半电量。

骁龙835作为820和821的后续产品,目前已经投入生产,预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货,

而三星方面,按照以往的经验来看,预计会在明年三月份的MWC展会上推出新一代的旗舰Galaxy S8,从近期该机的曝光消息来看,S8将有望首发搭载骁龙835处理器。

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